デジカメinfoに掲載された記事ですが。
ソニーのセンサーと比較すると完全に追いついたとまでは言えないかもしれませんが、ダイナミックレンジに関しては、それほど変わらないところまで来たと言ってよさそうです。
(http://digicame-info.com/2019/12/eos-m6-mark-ii-3.html)
8月にEOS M6 Mark IIのリーク記事を扱ったときに、このセンサーの読み出し速度から、Canon初の裏面反射型CMOSセンサーではないかと考察しました。
この記事は、その読みが正しかったことを裏付けています。
裏面反射型になったことで、入射光をより有効に扱うことができ、結果としてダイナミックレンジが改善した、と言うことです。
このセンサーは、間違いなく、今後のCanonの礎(いしずえ)になるものです。
次期フラグシップの1D X Mark3も、これを載せてくるのではないでしょうか。
また、読み出し速度が向上するという事は、それだけ読み出しのフレームレートが上げられるという事です。ミラーレスにおいて、CMOSセンサーのフレームレートは、AFにおいて要となる部分です。瞳を追いかけるにも、この速度があれば、より精度を上げていけるはずです。
2020年以降発売される、Canonの新ボディが楽しみでなりません。
(2020/02/03追記)
キヤノン、”新開発センサー搭載の高機能ミラーレス”を年内投入
(決算説明会資料より)
このような報道が成されました。
Canonも明確に、新センサーと言い切っていますね。
この予想が正しかった！！！ と声を大にして言えます！
MOS-FETについては習ったｗ
MOSはMetal(M) Oxide(O) Semiconductor(S)で、シリコン単結晶上にP/N
原子を浸潤させて半導体素子を形成、そこへ水蒸気を浸潤させてシリコン酸化膜層を構成し、酸化膜層へフォトエッチングを施し、窓を開けて金属層（実は多結晶シリコン）を構成します。
なので表面からM,O,Sの順に構成されている、その構造を持つ電界効果型トランジスタ（FET)がMOS-FETとなります。
イメージセンサの場合は半導体層の素子はFETではなくフォトダイオードとなります。
で、PNが逆となっている２つの素子を互い違いに組み合わせて作る回路なので、頭にComplementary(C)と、さらに後ろにイメージセンサと付いてCMOSイメージセンサとなるわけですｗ
で、Back-Side Illumination (BSI)型CMOSは「シリコン基板を削る事により実現した」というところから想像するに、MOS作っておいて、ひっくり返して逆にして、裏側の半導体層上へ酸化膜層をさらに構成し、それを８ミクロンまで機械的（？）に削るって事なのでしょうね(^^;
となると研削盤かフライス盤（複数の機能を併せ持つマシニングセンタは、この場合ムダになる）辺りが使われていそうですが、工作機械は半導体製造で使ったこと無いので、その辺が技術的困難だったのでしょう・・（想像なので嘘注意ｗｗ）
フォトダイオード素子上に余計な構成物が殆どないので、入射光の回折や干渉が低減して受光感度は上がるはずｗ
▼omoteさん
詳しくありがとうございます！
Canonはセンサー類を外販していない(今は少量やってますが)ので、生産機器の償却などを前提に設計していると考えられています。
その為、プロセスなどもSONY等に比べて数世代遅れているようです。
(とはいえ、ピクセルサイズから見たら、プロセスサイズなど誤差みたいなものですが、それでも画質に(少し)影響が出ます)
ここに来て、裏面反射や、積層型を出してきたという事は、Canonの生産設備が刷新された証拠なのです。なので、これからのCanonはぽいぽーいと性能が上がると思うのです。
3週遅れが、周回遅れぐらいになると思いますｗ